Bella domanda, Max.
Innanzi tutto il mosfet in questione, come dice gyppe, resiste a 55V 29A.
I parametri importanti sono però anche la potenza massima dissipabile (68W a 25°C) e la Rds on (0,04ohm a 25°C).
Per sapere se un'applicazione può sollecitare troppo il mosfet occorre sapere quanta corrente attraversa il mosfet quando è attivo.
Guardando il grafico in fig.3 si nota che con una Vgs di 10V il mosfet è in grado di pilotare correnti di almeno 50A senza limitazioni.
Dal grafico in fig.4 si nota invece che la Rds on aumenta con la temperatura in modo abbastanza lineare. Questo significa che più aumenta la temperatura del componente e tanto più, a parità di corrente di drain, la potenza dissipata aumenta.
Volendo stare dalla parte dei bottoni si può considerare il fatto più sfortunato, ovvero che la giunzione del mosfet abbia raggiunto i 175°C (il progettista in questo caso andrebbe giustiziato in modo sommario per incapacità nel dimensionamento del sistema di raffreddamento).
Ebbene, in queste condizioni la Rds on sarebbe 2 volte il valore che ha a 25°C (la curva del grafico indica infatti lo scostamento rispetto al valore 1 che è a 25°C).
A 175°C la Rds on sarebbe quindi circa 0,08ohm.
Per sapere la corrente di drain massima sopportabile occorre dividere la potenza massima Pd per la Rds on: I
2=Pd/Rdson=68/0,08=850 da cui I=29A che è poi il valore dichiarato.
Attenzione però ad una cosa: questi parametri sono quelli di un mosfet che funziona in regime statico (sempre on).
Durante le commutazioni il mosfet è costretto a dissipare una potenza superiore, dato che, durante le transizioni, la Rds on varia sì in modo veloce, ma non istantaneo.
La velocità di commutazione è data, oltre che dalla velocità del mosfet, che comunque è molto alta, dal tempo che la capacità di gate impiega a caricarsi e scaricarsi, tempo dipendente dalla potenza del driver che lo pilota.
Conclusioni? Se hai un mosfet che lavora in regime impulsivo a frequenza elevata (da qualche KHz in su) cerca di raffreddarlo bene e, soprattutto, usa un driver adeguato, con una corrente di uscita elevata (driver da 0,8A in su).
Se hai un oscilloscopio puoi verificare cosa succede sul gate e se vedi che l'onda quadra non ha dei fronti ripidi (durata superiore a 1-2uSec) significa che il driver non è adeguato e il mosfet può scaldare maggiormente.
CITAZIONE
Uhm, in effetti questo concetto non mi è tanto chiaro. I dati per tensione e corrente sono quelli, ma indica come pTot 68W. Se ho capito bene quello che hai detto, significa che potrei farci scorrere 39A, ma a soli 2V, per stare all'interno della potenza massima, esatto?
Quello che dice Law è che la potenza dei 68W sono dichiarati a 25°C. Se la temperatura aumenta tu, per mantenere il mosfet in equilibrio termico, impedendogli quindi di continuare ad aumentare la temperatura fino alla distruzione, devi ridurre la potenza dissipata oppure assicurarti che il calore generato venga smaltito così bene da ripristinare in breve tempo la temperatura di 25°C nella giunzione (cosa ottenibile con un dissipatore di superficie infinita e con una resistenza termica giunzione->ambiente pari a 0, ovvero solo teorico).
Alcune case pubblicano la cosiddetta Operating safe area, ovvero l'area di potenza all'interno della quale il mosfet può lavorare.
La IR la dichiara, ma per impulsi singoli e di durata breve (10usec,100usec e 1msec), rilevabili nel grafico della fig.8. Se i parametri di corrente e tensione usati fanno sì che il punto sul grafico resta all'interno del "quasi rettangolo" il mosfet resiste, altrimenti passa a miglior vita.
