La VBEsat interessa poco perchè alla fine la tensione base-emettitore è comunque sempre compresa fra 0,6-1V, quindi non influisce più di tanto nel calcolo della resistenza di base. Può essere importante se il segnale di comando, invece di variare da 0 a X volt, può variare da -X volt a + Y volt. In questo caso si potrebbe avere che la giunzione base emettitore entra in conduzione inversa.
La VCEsat spesso non è così importante, almeno fino a quando non si lavora con alte correnti o basse tensioni di alimentazione.
Se il transistor deve pilotare, ad esempio, un carico che assorbe 10A occorre che abbia una VCEsat bassa, altrimenti si troverebbe a dovere dissipare una certa potenza in calore. Ad esempio se si osserva il data sheet di un transistor molto noto il
2N3055 si nota dal grafico di figura 7 che con una Ic di 10A la VCEsat è ci circa 0,8V. Questo significa che il transistor dissiperebbe 0,8V*10A=8W di potenza.
E' chiaro che se la VCEsat fosse più alta (es.1,2V) la potenza sarebbe più alta anch'essa (12W) che sarebbero decisamente più difficili da smaltire come calore.
Avere una VCEsat alta significa anche fare cadere una tensione "notevole" fra Collettore ed Emettitore, riducendo la tensione che può arrivare al carico. Ammettendo, ad esempio, che il 2N3055 stia alimentando un carico che assorbe 10A a 3V (quindi un carico con una resistenza di 3V/10A=0,3ohm) succederebbe che con quasi 0,8V di VCEsat al carico non arriverebbero 3V, ma 2,2V, rischiando di non alimentarlo correttamente.
Ci sono dei transistor specifici per il funzionamento come interruttori, che hanno una bassa VCEsat, come
questo. Nel grafico VCE(sat) v IC a pagina 3-226 (il primo in alto a sinsitra) si nota che con Ic=1A la VCE è di solo 0,18V, il 50% inferiore rispetto a quella del BC337 con una corrente di 700-800mA.
