CITAZIONE
L'ho collegata all'alimentatore e segna un assorbimento di ~ 0.8A
Bene, prima caratteristica conosciuta.
CITAZIONE
E gia' entro in crisi!!
Perche' mi parli dei radice_quadrata di 2?
Ha il suo alimentatore (io l'ho definito trasformatore perche' porta la 220V a 12V: spero sia corretta) che dichiara "12V" quindi immagino che siano 12V continui.
Perchè hai parlato di trasformatore a 12V, non di alimentatore con uscita 12Vcc: le cose sono molto diverse.
Se tu alimenti un circuito con un
vero trasformatore che ha uscita a 12Vac (corrente alternata) e lo usi per ricavarci la corrente continua devi usare la formula che ti ho detto io, quindi tensione * 1,41 - caduta di tensione su N diodi (1 o 2 in base al tipo di circuito).
Se tu invece alimenti il tutto con un alimentatore, che non è un trasformatore semplice, ma un qualcosa che ha quasi sicuramente un trasformatore interno, ma anche un regolatore di tensione che stabilizza a x V (12 nel tuo caso), il discorso cambia: 12V sono e 12V devono essere considerati.
CITAZIONE
Un rele' ? un BJT?
Un relè ha molto di antidiluviano e consuma abbastanza per tenerlo eccitato.
Un BJT magari può andare bene, ma bisogna considerare che ha una caduta di tensione minima fra collettore ed emettitore (chiamata Vce sat) che non è bassissima, quindi può creare un riscaldamento del transistor.
Un mosfet, al contrario, ha generalmente una caduta di tensione fra drain e source inferiore e quindi, a parità di condizioni, scalda meno.
Facciamo un esempio pratico.
Aprendo il data-sheet di un transistor darlington come il
BD677 (ho scelto un darlington perchè ha bisogno di una corrente di pilotaggio inferiore rispetto ad un transistor normale) si noterà , a pagina 6 figura 6, che la VCE sat, con una corrente di collettore di 0,8-1A è di circa 0,8-1V.
Questa tensione darà una potenza dissipata sul transistor di P = V*I = 1V * 0,8A = 0,8W
Se invece usassimo un mosfet tipo
questo (FQP50N06L) e andassimo a vedere il grafico di figura 2 vedremmo che con una Vgs di 3V e una temperatura di 25°C la corrente che può fornire è superiore a 10A.
Guardando invece a pagina 3 nella tabella "On caracteristics" si vede che con una Vgs di 5V e un corrente di drain di 26A la Rds on (resistenza fra drain e source) è di 0,02ohm.
Non è riportato il valore esatto della Rds on con una Vgs di 3V, ma anche pensando che possa più che raddoppiare rispetto a 5V si avrebbe un valore di 0,05ohm.
La potenza che dissiperebbe il mosfet sarebbe quindi P = R * I * I = 0,05ohm *0,8A * 0,8A = 0,3mW
In conclusione è che un mosfet resterebbe freddo, mentre un BJT si scalderebbe in modo "vistoso".
Se vuoi avere ulteriori informazioni puoi vedere questi 3d:
MosfetBJTe questo sempre sui transistor:
Data-sheet